| Dane techniczne
|
- Maksymalne napięcie przyspieszające : 200 kV
- Powiększenie: x 8 000 000
- Działo FEG – Schottky
- Bright field STEM: Phase contrast image (TE image)
- Dark field STEM: Z-contrast image (ZC image)
- Secondary electron image (SE image)
- Electron diffraction*
- Characteristic X-ray analysis and mapping (EDX)
|
| Osoba do kontaktu
|
dr inż. Tomasz Płociński
|
| Zakład
|
Zakład Projektowania Materiałów
|
| Lokalizacja na Wydziale
|
Gmach Nowy Technologiczny, ul. Narbutta 85, p. 10
|