| Dane techniczne
|
- Maksymalne napięcie przyspieszające: 30 kV
- Powiększenie: do 2 000 000 x
- Rozdzielczość: 0.4 nm w trybie skaningowym przy napięciu przyspieszającym 30 kV i poniżej 2 nm przy 1 kV, 0.5 nm w trybie STEM 30 kV
- Działo FEG – Cold Field emission gun
- Secondary electrons detector (SE)
- Back scatter electrons detector (BSE)
- Detector of transmitted electrons (STEM)
- Energy dispersive spectrometer (EDS)
|
| Osoba do kontaktu
|
dr inż. Tomasz Płociński
|
| Zakład
|
Zakład Projektowania Materiałów
|
| Lokalizacja na Wydziale
|
Gmach Nowy Technologiczny, ul. Narbutta 85, p. 12
|