| Dane techniczne
|
- FIB rozdzielczość: 6 nm przy napięciu 40 kV
- Możliwe napięcia przyspieszające od 10 do 40 kV.
- Źródło jonów: Ga
- Powiększenie od 700x do 200,000x
- Maksymalny prąd wiązki 40 nA przy 40 kV
- Możliwość wycinania z dużych elementów: do 100 mm
- Możliwość napylania W
- System przenoszenia małych próbek
|
| Osoba do kontaktu
|
dr inż. Tomasz Płociński
|
| Zakład
|
Zakład Projektowania Materiałów
|
| Lokalizacja na Wydziale
|
Gmach Nowy Technologiczny, ul. Narbutta 85, p. 12
|